MOCVD过滤器保障GaN外延生长纯度

来源:MOCVD滤芯ttp://www.galthe.com/ | 发布时间:2025/8/6 | 浏览次数：

MOCVD滤芯前驱体气体纯化‌：通过0.1μm级不锈钢滤芯lan截氢气/氮气载气中的颗粒物，防止金属杂质污染反应腔，确保GaN晶体结构完整性。有ji金属源输送管路配置分子筛过滤器，吸附水分及氧杂质，避免非辐射复合中xin形成，提升LED发光效率。

‌ 反应腔环境控制‌：维持反应腔内压力稳定性，过滤器调控气流均匀性，使GaN外延层厚度波动<±2%。耐高温滤材在600-1200℃生长温度下保持性能，防止高温颗粒剥落污染外延膜。本文源自MOCVD滤芯ttp://www.galthe.com/。